Moje konto
Zaloguj / Zarejestruj
nr kat. 1287797
Porównaj
Dane techniczne
- Pojemność: 1 TB
- Format: M.2 2280
- Typ podłączenia: PCI-Express 4.0 x4
- Maks. prędkość odczytu / zapisu: 7450 MB/s / 6900 MB/s
Dane techniczne
Parametry techniczne
| Pojemność: | 1 TB |
|---|---|
| Typ podłączenia: | PCI-Express 4.0 x4 |
| Format: | M.2 2280 |
| Maks. odczyt: | 7450 MB/s |
| Maks. zapis: | 6900 MB/s |
| Maks. odczyt losowy: | 1200000 IOPS |
| Maks. zapis losowy: | 1550000 IOPS |
| Zastosowane technologie: | S.M.A.R.T, TRIM |
| Radiator w zestawie: | tak |
| Seria dysku: | Samsung 990 PRO Heatsink |
Parametry fizyczne
| Wymiary: | 80 x 24 x 8,2 mm |
|---|---|
| Waga: | 28 g |
Gwarancja
| Gwarancja: | 60 miesięcy |
|---|
Producent
| Nazwa producenta: | Samsung Electronics Polska Sp. z o.o |
|---|---|
| Marka: | Samsung |
| Kod producenta: | MZ-V9P1T0CW |
Dane kontaktowe producenta
| Adres elektroniczny: | www.samsung.com |
|---|---|
| Ulica: | Postępu 14 |
| Kod pocztowy: | 02-676 |
| Miasto: | WARSZAWA |
| Kraj: | Polska |
Znak zgodności
| Znak zgodności: |
|---|